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先進(jìn)陶瓷注射成型工藝

先進(jìn)陶瓷注射成型工藝陶瓷注射成型（CeramicInjectionMolding，簡(jiǎn)稱(chēng)CIM）是將聚合物注射成型方法與陶瓷制備工藝相結(jié)合而發(fā)展起來(lái)的一種制備陶瓷零部件的新工藝。特別是對(duì)尺寸精度高、形狀復(fù)雜的陶瓷制品的大批量生產(chǎn)，采用陶瓷粉末注射成型有優(yōu)勢(shì)。目前，陶瓷注射成型已廣泛用于各種陶瓷粉料和各種工程陶瓷制品的成型，通過(guò)該工藝制備的各種精密陶瓷零部件，已用于航空、汽車(chē)、機(jī)械、能源、光通訊、生命醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。圖1陶瓷注射成型示意圖一、陶瓷粉末注射成型的技術(shù)特點(diǎn)從技術(shù)特點(diǎn)來(lái)說(shuō)，...

真空脫脂燒結(jié)一體爐設(shè)備優(yōu)勢(shì)在哪可以體現(xiàn)出來(lái)

真空脫脂燒結(jié)一體爐主要用于MIM/PM不銹鋼制品、多孔過(guò)濾材料、硬質(zhì)合金、高溫合金、高比重合金、磁性材料、碳化物等制品的脫脂與燒結(jié)，可在同一爐體內(nèi)實(shí)現(xiàn)連續(xù)脫脂與燒結(jié)兩道生產(chǎn)工序。真空脫脂燒結(jié)一體爐可在同一爐體內(nèi)實(shí)現(xiàn)連續(xù)脫脂與燒結(jié)兩道生產(chǎn)工序。同爐體脫脂與燒結(jié)，可免除產(chǎn)品反復(fù)搬移、加熱與冷卻，提升產(chǎn)品質(zhì)量，縮短生產(chǎn)周期，提高生產(chǎn)效率。脫脂密封爐膽和捕脂器以減少內(nèi)爐壁、隔熱屏及發(fā)熱體污染，脫脂與集脂更加有效，密封爐膽有利于改善爐溫均勻性。定向氣流脫脂，強(qiáng)化脫脂效果，脫脂更趨*?？?..

先進(jìn)陶瓷干壓成型工藝

成型工藝在整個(gè)陶瓷材料的制備過(guò)程中起著承上啟下的作用，是保證陶瓷材料及部件的性能可靠性及生產(chǎn)可重復(fù)性的關(guān)鍵。陶瓷常用的成型方法有干壓、注漿、流延以及注射等，其中干壓成型是應(yīng)用廣泛的一種成型工藝，也是手機(jī)陶瓷背板主流的成型工藝之一，下面詳細(xì)了解一下陶瓷干壓成型工藝。一、干壓成型干壓成型又稱(chēng)模壓成型，是常用的成型方法之一。干壓成型是將經(jīng)過(guò)造粒后流動(dòng)性好，顆粒級(jí)配合適的粉料，裝入金屬模腔內(nèi)，通過(guò)壓頭施加壓力，壓頭在模腔內(nèi)位移，傳遞壓力，使模腔內(nèi)粉體顆粒重排變形而被壓實(shí)，形成具有一定...

介紹多功能燒結(jié)爐的用途以及結(jié)構(gòu)組成、優(yōu)點(diǎn)

多功能燒結(jié)爐采用高純石墨作發(fā)熱體，WRe熱電偶作測(cè)溫元件，用精密數(shù)顯程序控溫儀控溫，能實(shí)現(xiàn)爐溫的自動(dòng)程序升降或手動(dòng)升降溫。采用電動(dòng)液壓升降機(jī)構(gòu)對(duì)試樣(模具)加荷，由精密壓力傳感器和數(shù)顯測(cè)力計(jì)檢測(cè)加荷力的大小，加荷速度連續(xù)可調(diào)，同時(shí)可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)加荷。由二級(jí)真空機(jī)組對(duì)爐膛進(jìn)行抽真空，可實(shí)現(xiàn)樣品的真空熱壓燒結(jié)。同時(shí)也可注入適量保護(hù)氣氛或反應(yīng)氣氛作氣氛熱壓燒結(jié)。配置所需坩堝后可用于常規(guī)真空燒結(jié)試驗(yàn)或真空熔煉。多功能燒結(jié)爐用途：設(shè)備廣泛應(yīng)用于結(jié)構(gòu)陶瓷、功能陶瓷、生物陶瓷、人工晶體、復(fù)合材...

藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)及退火工藝

藍(lán)寶石(Sapphire)是一種氧化鋁(α-Al2O3)的單晶，又稱(chēng)為剛玉。藍(lán)寶石晶體具有優(yōu)異的光學(xué)性能、機(jī)械性能和化學(xué)穩(wěn)定性，強(qiáng)度高、硬度大、耐沖刷，可在接近2000℃高溫的惡劣條件下工作，因而被廣泛的應(yīng)用于紅外軍事裝置、衛(wèi)星空間技術(shù)、高強(qiáng)度激光的窗口材料。其*的晶格結(jié)構(gòu)、優(yōu)異的力學(xué)性能、良好的熱學(xué)性能使藍(lán)寶石晶體成為實(shí)際應(yīng)用的半導(dǎo)體GaN/Al2O3發(fā)光二極管(LED)，大規(guī)模集成電路SOI和SOS及超導(dǎo)納米結(jié)構(gòu)薄膜等為理想的襯底材料。近年來(lái)，隨著現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，對(duì)藍(lán)...

對(duì)箱式氣氛爐的主要結(jié)構(gòu)和配置進(jìn)行說(shuō)明

箱式氣氛爐爐體采用雙層爐殼結(jié)構(gòu)，雙層爐殼之間裝有風(fēng)機(jī)，可以快速升降溫，爐殼表面溫度低。可用于氮?dú)狻鍤獾榷栊詺怏w下產(chǎn)品燒結(jié)實(shí)驗(yàn)。爐膛材料采用的進(jìn)口氧化鋁多晶纖維制成，節(jié)能50%，二面或上下加熱，溫場(chǎng)均勻。加熱元件采用硅鉬棒或高溫鉬絲。箱式氣氛爐溫度控制系統(tǒng)采用人工智能調(diào)節(jié)技術(shù)，具有PID調(diào)節(jié)、模糊控制、自整定能力并可編制各種升溫程序等功能，該控制系統(tǒng)溫度顯示精度為1℃，溫場(chǎng)穩(wěn)定度±5℃，升溫速率1~20℃可任意設(shè)置。設(shè)備主要結(jié)構(gòu)和配置：1、爐殼：雙層爐殼結(jié)構(gòu)，內(nèi)...

碳化硅單晶材料的制備及缺陷分析

碳化硅單晶材料的制備及缺陷分析以硅（Si）、砷化鎵（GaAs）為代表的代和第二代半導(dǎo)體材料的高速發(fā)展，推動(dòng)了微電子、光電子技術(shù)的迅猛發(fā)展。然而受材料性能所限，這些半導(dǎo)體材料制成的器件大都只能在200℃以下的環(huán)境中工作，不能滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫、高頻、高壓以及抗輻射器件的要求。作為第三代寬帶隙半導(dǎo)體材料的代表，碳化硅（SiC）單晶材料具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和遷移速率高和擊穿電場(chǎng)高等性質(zhì)。SiC器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領(lǐng)域和航天、軍工、核能等環(huán)境應(yīng)用領(lǐng)域...

壓力燒結(jié)爐的應(yīng)用范圍及正確操作說(shuō)明

壓力燒結(jié)爐結(jié)合了脫蠟、真空燒結(jié)和后續(xù)的熱等靜壓致密化等工藝，用于硬質(zhì)合金或工程陶瓷的處理，可在真空、反應(yīng)氣體和高至100巴的壓力下工作。該設(shè)備的加熱元件采用陶瓷纖維加熱扳或陶瓷發(fā)熱棒，可滿足快速升溫工藝要求；溫控系統(tǒng)采用進(jìn)口多段智能程序溫度控制儀控制，溫度控制系統(tǒng)的穩(wěn)定性、重復(fù)性十分可靠；變頻無(wú)級(jí)調(diào)速，不銹鋼網(wǎng)帶傳送，全新的外觀設(shè)計(jì)理念，確保了產(chǎn)品平穩(wěn)輸送。設(shè)備主要用于特種陶瓷，精密陶瓷，熒光粉，發(fā)光粉，粉末冶金，鋰電池材料等無(wú)機(jī)材料的燒結(jié)。應(yīng)用范圍：用于特種陶瓷,精密陶瓷，...